Molecular beam epitaxy, of MBE, is een nieuwe techniek voor het kweken van hoogwaardige dunne films van kristallen op kristalsubstraten. In ultrahoog vacuümomstandigheden, door de verwarmingskachel is uitgerust met allerlei vereiste componenten en genereert stoom, door gaten gevormd na collimerende bundel atomaire of moleculaire bundel, directe injectie op de juiste temperatuur van het monokristallijne substraat, regelende moleculaire bundel naar terwijl het substraat tegelijkertijd wordt gescand, kan het de moleculen of atomen in kristaluitlijningslagen maken om een ​​dunne film op een substraat te laten "groeien".

Voor de normale werking van MBE-apparatuur is een hoge zuiverheid, lage druk en ultraschone vloeibare stikstof vereist die continu en stabiel naar de koelkamer van de apparatuur wordt getransporteerd. Over het algemeen heeft een tank die vloeibare stikstof levert een uitgangsdruk tussen 0,3 MPa en 0,8 MPa. Vloeibare stikstof bij -196 ℃ wordt gemakkelijk verdampt tot stikstof tijdens transport via pijpleidingen. Zodra de vloeibare stikstof met een gas-vloeistofverhouding van ongeveer 1: 700 in de pijpleiding is vergast, zal deze een grote hoeveelheid vloeibare stikstofstroomruimte innemen en de normale stroom aan het einde van de vloeibare stikstofpijpleiding verminderen. Bovendien bevindt zich in de opslagtank voor vloeibare stikstof waarschijnlijk vuil dat niet is schoongemaakt. In de pijpleiding voor vloeibare stikstof zal de aanwezigheid van natte lucht ook leiden tot de vorming van ijsslakken. Als deze onzuiverheden in de apparatuur terechtkomen, zal dit onvoorspelbare schade aan de apparatuur veroorzaken.

Daarom wordt de vloeibare stikstof in de buitenopslagtank getransporteerd naar de MBE-apparatuur in de stofvrije werkplaats met een hoog rendement, stabiliteit en schoon, en de lage druk, geen stikstof, geen onzuiverheden, 24 uur ononderbroken, een dergelijk transportcontrolesysteem is een gekwalificeerd product.